IS43R86400E-5TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43R86400E-5TL |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 66-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 64M x 8 |
Speicherschnittstelle | SSTL_2 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 200 MHz |
Zugriffszeit | 700 ps |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz,
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
2024/06/19
2023/12/21
2024/10/11
2024/08/29
IS43R86400E-5TLISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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